python 学习笔记 前言 虽然用python的各种库解决了很多有趣的问题。
但对于一些基础的语法知识一直没有系统性地学习过,也成为了进一步更深发展的桎梏。
可我对于一些文字或视频教程都感觉无比枯燥,后来偶然发现了实验楼这个有趣的平台,对于喜欢动手实践辅助学习的我来说真的是无比欣喜。
所以准备在实验楼平台系统性学习一下Python的语法,但并不准备写总结性的记录博客,因为个人认为对于python这种实用性极强的语言,基础语法其实并不是关键性的重点,需要用时可以随时查文档。
故此博客只简单记录一下学习过程中遇到的一些零散但个人感觉很有趣的知识点~
有趣问题大汇总 #!/usr/bin/env python与#!/usr/bin/python的区别 参考博客
在很多python代码里,我们常常会见到:
#!/usr/bin/env python3 首先这行代码中的#!称为Shebang,目的是告诉shell使用指定路径的Python解释器来执行代码。
而上述两种Shebang代码的区别在于:
#!/usr/bin/python是告诉操作系统执行这个脚本的时候,调用/usr/bin下的python解释器;
#!/usr/bin/env python这种用法是为了防止操作系统用户没有将python装在默认的/usr/bin路径里。当系统看到这一行的时候,首先会到env设置里查找python的安装路径,再调用对应路径下的解释器程序完成操作。
故综上可见:
#!/usr/bin/python相当于写死了python路径;
#!/usr/bin/env python会去环境设置寻找python目录,推荐这种写法
逻辑运算符 and、or 知乎:python中and、or的计算规则是怎样的
运算规则:
1. 在纯and语句中,如果每一个表达式都不是假的话,那么返回最后一个,因为需要一直匹配直到最后一个。如果有一个是假,那么返回假。
2. 在纯or语句中,只要有一个表达式不是假的话,那么就返回这个表达式的值。只有所有都是假,才返回假。
3. 在or和and语句比较难表达,总而言之,碰到and就往后匹配,碰到or如果or左边的为真,那么就返回or左边的那个值,如果or左边为假,继续匹配or右边的参数。
优先级:
1. 在不加括号时候, and优先级大于or
2. x or y 的值只可能是x或y. x为真就是x, x为假就是y
3. x and y 的值只可能是x或y. x为真就是y, x为假就是x
Python定义的Flase value有哪些:
1. None
2. False
3. 任何形式的0,如:0、0L、0.0…
4. 如何空序列,如:[]、()、{}…
5. 用户自定义的class实现了nonzero等等
多种需求的print() 输出结构
对于print()除了打印提供的字符串之外,还默认打印一个换行符,所以每调用一次print()就会换一次行。
如果需要循环打印1~10在同一行,以空格隔开,我们可以这样写:
前言 最近在二手书店买下了这本《计算机网络—自顶向下技术》。
久闻其在江湖中的传说级地位,自己尝试着看了一下,确实感觉和学校教材有很大不同,自己在这个过程中也有了很多的收获。
故打算写博客简单总结一下书中的要点,并附上自己的理解,并用于计网课程期末考试的复习材料。
计算机网络和因特网
第四章 场效应管 FET 重点概括 MOSFET器件结构、工作原理、特性及参数 CS放大器的传输特性 MOS放大器偏置电路设计方法 一、MOSFET结构及工作原理 1、简介 定义:FET是一种利用电压控制电流大小的单极性半导体器件。
特点: 低功耗、低噪声、输入阻抗高、热稳定性好
分类:
MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应管)
N、P沟道 增强型、耗尽型
故MOSFET分为四类:
NEMOSFET: N沟道增强型;NDMOSFET:N沟道耗尽型;
PEMOSFET:P沟道增强型;PDMOSFET:P沟道耗尽型;
JFET(结型场效应管,本身为耗尽型)
N、P沟道 故JFET分为两类:
NJFET:N沟道耗尽型;PJFET:P沟道耗尽型。
沟道:FET器件内部载流子导电的通路,当导电的载流子为自由电子时称为N沟道;导电载流子为空穴时,称为P沟道。
增强型:生产时内部没有导电沟道
耗尽型:生产时内部已有导电沟道
2、MOSFET结构及工作原理 结构:
1. 四端子:栅极G(Gate)、源极S(Source)、漏极D(Drain)、衬底极B(Body)
2. 沟道参数: L、W
特点:
1. 对称结构,S极和D极可互换
2. 源区和漏区分别与衬底之间形成PN结,需保证其反偏。
—— 处理方式:源极和衬底极相连,并使之连接到电路的最低电位。
工作原理:
1. $V_{GS}$ 的作用:创建N沟道,控制沟道深度
2. $V_{DS}$ 的作用:形成漏极电流 $I_{D}$
为实现MOS管正常工作,两者缺一不可!
如果没有 $V_{GS}$ 而 只有 $V_{DS}$ : 将不会有导电的沟道。
第二章 理想运算放大器及其线性应用 重点概括 差分放大器、差模信号、共模信号、差模增益、共模增益、共模抑制比
理想放大器特点及建模、“虚短”和“虚断”的定义及应用
运放构成的基本组态电路
分析和设计利用理想运放实现各类线性电路
非理想运放的模型及相关参数
一、运算放大器理想模型及分析方法 1.定义:运算放大器(Operational Amplifier),简称运放,是目前最广泛使用的线性集成电路。
下面这段来自百度百科:
运算放大器(简称“运放”)是具有很高放大倍数的电路单元。在实际电路中,通常结合反馈网络共同组成某种功能模块。它是一种带有特殊耦合电路及反馈的放大器。
2.电路符号:
与放大器类似,不同在于存在两个输入端口。
关系式: $v_o = A(v_{+} - v_{-})$
可见 运算放大器是一类典型的差分放大器。
3.补充:
差模信号与共模信号:
对于任意一对信号$v_1$和$v_2$,
其差模信号定义为: $v_{id} = v_2 - v_1$
其共模信号定义为:$v_{icm} = \frac{v_1 + v_2}{2}$
反过来看:
对于任意一对信号$v_1$和$v_2$,有:
$v_1 = v_{icm} - \frac{v_{id}}{2}$
$v_2 = v_{icm} + \frac{v_{id}}{2}$
即包含大小相等、极性相反的差模信号和大小相等极性相同的共模信号。
差分放大器
特点:放大差模信号、抑制共模信号,有两个输入端口。
对于一对信号$v_1$和$v_2$,定义:
$A_{vd} = v_o / v_{id} = v_o / (v_2 - v_1) $ — 差模增益 $A_{vcm} = v_o / v_{icm} = \frac{v_o}{(v_1 + v_2)/2}$ — 共模增益
前言 经过前四周的学习,我强烈感受到了模电课程知识点的繁多杂乱
加上自己学得并不用心,精力全部放在科研竞赛方面,已经慢慢感觉跟不上大家的节奏…
每次在课堂上观望着大佬们谈笑间问题灰飞烟灭…心中暗生羡慕qwq
综合以上情况,想自己尝试归纳总结书上和视频的知识点,
一是能看视频更加专注(之前总是走神 = =)
二是方便日后复习回顾
三是能对目前所学习的章节知识点有一个大的掌握
此博客将持续更新~
第一章 模拟电子电路导论 重点概括 模拟放大器的定义和参数定义 学会根据工程条件合理建模,掌握如何分析计算放大器的性能参数 理解放大器分类和不同类放大器的参数描述和理想条件 一、信号 1. 定义: 任何携带信息的物理量
对于模拟电子电路课程,信号的处理与分析是贯穿课程的主线。
常见的信号如正弦信号:
音频信号:
2.分类:
模拟信号:时间和幅度都连续 (模电主要研究对象!) 数字信号:时间和幅度都离散 3.转换:
A/D转换:采样和量化编码,将模拟信号转变为数字信号
D/A转换:上述转换的逆过程
4.表示:
两种方式:
时序信号:以时间变量为横轴,信号幅度为纵轴 频域信号:以频率变量为横轴,信号幅度为纵轴 举例:
信号的时域信息:判断是否需要放大等后续处理。 信号的频域信息:判断是否需要设计滤波等电路。 综上可见:时域和频域,不过是观察信号信息的两个不同视角。
拓展阅读:信号频域和时域的关系—知乎
二、电子系统
电子系统是处理信号的电路综合
其中如信号放大、滤波、AD转换均需要利用模拟电子电路的功能。
形如数据清洗对于数据挖掘的重要性,信号的预处理在电子系统中有着重要的地位。而在预处理环节,放大器是非常关键的组成部分。
故接下来的重点内容便是放大器。
三、放大器(AMPIFIER) 1.定义:满足$A = \frac{x_o}{x_i}$的系统。(A称为增益 Or 放大倍数)
即存在输入端和输出端,当在输入端输入一个 信号$x_i$,那么在输出端能够得到一个幅值放大的信号$x_o$,实现不失真的线性放大。
实际连接电路如下图:
参数说明:
$v_{sig}$:输入信号源
$R_{sig}$:输入信号源内阻
$R_L$:负载
$v_i$:输入电压